РОСТ КРИСТАЛЛА
— процесс разрастания к-ла. Происходит в насыщенном растворе,
расплаве,
газообразной или твердой среде в основном за счет новых слоев вещества,
откладывающихся на гранях кристаллического многогранника. Это явление усложняется наличием спиралей роста
,
связанных с дефектами к-ла. В вязких и загрязненных средах возникают усложненные формы роста — скелетные к-лы и антискелетные (см. Антискелеты кристаллические
). Согласно теории совершенного роста идеального к-ла (Коссель,
1927; Странский,
1928) новые частицы присоединяются к растущему к-лу так,
чтобы при этом выделялась наибольшая энергия. С наибольшей долей вероятности такие частицы будут привлекаться во входящие углы.
Соответственно на к-ле не должно образовываться нового слоя до тех пор,
пока растущий слой целиком не покроет грани к-ла. В результате возникает идеально образованный к-л в виде выпуклого многогранника с плоскими гранями.
См. Теория дислокаций в кристаллах
.
|