ДИСЛОКАЦИИ В КРИСТАЛЛАХ
— линейные участки кристаллических структур,
в которых атомы или ионы в своем взаимном расположении отклоняются от геометрической закономерности идеальной решетки.
Подразделяются на краевые и винтовые. Дислокации влияют на физ.
свойства к-лов (электрическую проводимость,
магнитное сопротивление,
теплопроводность и др.). Выявление дислокации осуществляется посредством термического,
хим.,
электролитического травления,
декорирования (введения примесей,
осаждающихся на дислокациях),
электронной микроскопии и др. На основе учения о Д. в к. создана теория роста несовершенных к-лов (Бартон,
Кабрера,
Франк,
1949).
|
