МИКРОСКОП ЭЛЕКТРОННЫЙ
— применяется для изучения объектов размерами < 1—0,1 μ,
которые не могут быть изучены при помощи световой микроскопии.
М. э. делятся на просвечивающие,
отражательные,
эмиссионные,
растровые,
теневые. Наиболее распространенными являются М. э. просвечивающего типа,
в которых изображение получается при прохождении электронов через объект.
В зависимости от рода электронных линз они могут быть либо магнитными (ЭМ-3,
ЭМ-8,
МЭМ-50,
ЭМ-100,
УЭМ-100),
либо электростатическими (ЭСМ-50 и др.). Последняя модель ЭМВ-100Л позволяет исследовать частицы размером 2,5А.
При изучении минералогических объектов с применением М. э. возможны два направления: 1) исследование морфологических особенностей тонкодисперсных частиц (размерами < 0,001 мм),
составляющих м-лы и п.; 2) исследование структуры поверхностей или срезов глин,
аргиллитов,
углей,
руд,
акцессорий роста на кристаллах и т. п. Препараты для исследования тонкодисперсных частиц приготовляются с помощью методов: суспензий,
внедрения в пленку и порошков. Изучение структуры поверхностей производится методом реплик
(отпечатков),
когда исследуется не сам объект,
а копия с рельефа его поверхности. М. э. особенно широкое применение получил при исследовании глин и тонко дисперсных м-лов.
Он позволяет: изучать морфологические особенности м-лов,
степень их окристаллизованности и разрушенности,
наличие включений и т. п.; наблюдать процессы кристаллизации м-лов; судить о степени дисперсности тонких фракций глин; судить об однородности минер.
состава исследуемого образца и наличии в нем примесей; осуществлять гониометрическое исследование ограненных м-лов,
глинистых и др. м-лов размером <1μ; выяснять влияние разл.
хим. реактивов на морфологию и размеры частиц глинистых м-лов; в ряде случаев возможно определять минер.
состав фракции < 0,001 мм. Последнее время широко применяется М.
э. растровый,
обладающий высокой разрешающей способностью и могущий создавать трехмерное изображение.
К растровому М. э. может быть приспособлен рентгеновский спектрометр,
необходимый для элементарного анализа на микроучастках исследуемого объекта от Be до U.
Кроме того,
одновременно производится выявление линейного профиля плотности распределения элементов.
Этот прибор успешно применяется для изучения распределения и плотности флюоресцирующих веществ.
Растровый М. э. допускает разрешение до 100 А. Этот М. э. незаменим при исследовании структуры поверхности,
тонкозернистых и стекловатых г. п.— глин,
аргиллитов,
вулк. стекол и т. п. Растровый М- э. очень удобен при наблюдении поверхностей палеонтологических и палеооотаничесхих объектов.
Э. П. Сальдау.
|
