ГАЛЛИЯ АНТИМОНИД
(стибнид галлия) GaSb, светлосерые
кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,609593 нм); т. пл. 712°С; плота. 5,6137 г/см3 (20°С);
С° 48,6 Дж/(моль*К);
65,19 кДж/моль, -44,2 кДж/моль; So298 76,17 ДжДмоль
• К); при высокомдавлении
существует тетрагон, модификация; тройная точка: т-ра 385 °С, давл. 5,58
ГПа; температурный коэф. линейного расширения 6,7*10-6 К-1;
теплопроводность 35Вт/(м*К) (27 °С);=
15,69. Полупроводник; при 27 °С ширина запрещенной зоны 0,79 эВ, подвижность
электронов 4000 см2 /(В*с), дырок 800 см2 /(В-с);
эффективная масса электронов проводимости me = 0,45m0
(m0-масса свободного электрона). Г. а. устойчив на воздухе и
в воде, медленно взаимод. с минеральными к-тами и конц. р-рами щелочей.
Получают GaSb сплавлением Ga с 5%-ным избытком Sb
в атмосфере Н, в кварцевых или графитовых контейнерах, после чего GaSb
гомогенизируют зонной плавкой. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского
в атмосфере Н2. Г. а.-полупроводниковый материал для СВЧ-диодов,
транзисторов, микроволновых детекторов и др. П. И. Федоров.
|