ГАЛЛИЯ ГАЛОГЕНИДЫ
. Физ. свойства нек-рых Гг.
приведены в таблице. Трихлорид GаС13-бесцв. кристаллы с триклинной
решеткой [а — 0,694 нм, b = 0,684 нм, с = 0,682нм,
119,5°, р 90,8°,
118,8°, z=l (Ga2Cl6), пространств. группа PI]. Молекулы
димерны. Хорошо раств. в воде; из солянокислых р-ров экстрагируется в виде
HGaCl4 эфиром, бутилацетатом, трибутилфосфатом и др. орг. р-рителями;
образует моногидрат (т. пл. 44,4°С); гигроскопичен. Является сильной к-той
Льюиса. Получают GaCl3 хлорированием Ga при 80-200°С с послед.
перегонкой, ректификацией, а также зонной плавкой. Применяют его для получения
Ga высокой чистоты и синтеза др. соединений Ga, а также как катализатор
полимеризации; наполнитель нейтринных ловушек.
СВОЙСТВА ГАЛОГЕНИДОВ ГАЛЛИЯ
* Т-ра и
возгонки
. ** Плотность жидкого 2,0536 г/см3.
Трифторид GаР3-бесцв. кристаллы; не раств.
в воде; образует тригидрат (р-римость в Н2О 4,1% по массе при
25 °С). Не взаимод. с разб. минеральными к-тами, разлагается р-рами щелочей.
На воздухе выше 200 °С образует GaOF, затем Ga2O3.
Получают фторированием Ga, Ga2O3 или др. соединений
Ga.
Трибромид GaBr3 - белые кристаллы, трииодид
GaI3-желтые; по св-вам подобны GaCl3. Получают действием
паров соответствующего галогена на нагретый Ga.
Моногалогениды GaHal образуются при взаимод. паров
GaHal3 с Ga; при конденсации GaF и GaCl диспропорционируют на
Ga и соотв. GaF3 и GaCl3. Для GaBr т. пл. 158°С (с
разл.), для Gal 270 °С (с разл.)
Дигалогениды [тетрагалогеногаллаты(III) галлия(1)]
Ga2Hal4, или GaI[GaIII Hal4],
образуются при взаимод. Ga с GaHal3 (Hal = Cl, Br, I). Дихлорид
Ga2Cl4-белые кристаллы; т. пл. 175 °С, т. кип. 595
°С; плотн. 2,4173 г/см3; р 2,22Ом*см (20 °С); диамагнитен. Для
дибромида Ga2Br4 т. пл. 166°С, т. кип. 462°С. Для
дииодида Ga2I4 т. пл. 211 °C, т. кип. 469 °С
Известны также Ga3Br7 (т. разл.
81 °С) и Ga3Cl7 (т. пл. 87 °С), имеющие строение
GaI[Ga2IIIHaI7], и Ga4Hal6,
или Ga2I[Ga2IIIHal6]
(Hal = Cl, Br).
Лит. см. при ст. Галлий
. П. И. Федоров.