ГАЛОГЕНИДЫ
, хим.
соед. галогенов с др. элементами. К Г. обычно относят соед., в к-рых атомы галогена
имеют большую электроотрицательность, чем др. элемент. Г. не образуют Не, Ne
и Аг. К простым, или бинарным, галогенидам ЭХn (n-чаще всего целое
число от 1 у моногалогенидов до 7 у IF7 и ReF7, но м.
б. и дробным, напр. 7/6 у Bi6Cl7)
относят, в частности, соли галогеноводородных к-т и межгалогенные соединения
(напр., галогенфториды
). Существуют также смешанные Г., полигалогениды
,
гидрогалогениды, оксогалогениды, оксигалогениды, гидроксогалогениды, тиогалогениды
и комплексные Г.
Степень
окисления галогенов в Г. обычно равна — 1, в межгалогенных соед. у СЦ Вг,
I она может быть + 1, 4- 3, + 5, а у I в IF7 +7.
По характеру
связи элемент-галоген простые Г. подразделяют на ионные и ковалентные.
В действительности связи имеют смешанный характер с преобладанием вклада
той или иной составляющей. Г. щелочных и щел.-зем. металлов, а также многие
моно- и дигалогениды др. металлов-типичные соли, в к-рых преобладает ионный
характер связи. Большинство из них относительно тугоплавки и малолетучи,
хорошо растворимы в воде; в водных р-рах почти полностью диссоциируют на
ионы. Св-вами солей обладают также тригалогениды Р3Э. Р-римость в воде
ионных Г., как правило, уменьшается от иодидов к фторидам. Хлориды, бромиды
и иодиды Ag+ , Сu+, Hg+ и Pb+ плохо
растворимы в воде.
Увеличение
числа атомов галогенов в Г. металлов или отношения заряда металла к радиусу
его иона приводит к повышению ковалентной составляющей связи, снижению
р-римости в воде и термич. устойчивости Г., увеличению его летучести, повышению
окислит. способности и склонности к гидролизу. Эти зависимости наблюдаются
для Г. металлов одного и того же периода и в ряду Г. одного и того же металла.
Их легко проследить на примере термич. св-в. Напр., для Г. металлов 4-го
периода т-ры плавления и кипения составляют соотв. 771 и 1430°С для КС1,
772 и 1960°С для СаС12, 967 и 975 °С для ScCK, - 24,1 и 136°С
для Т1С14. Для UF3 т. пл. ~ 1500°С, UF4
1036 °С, UF5 348 °С, UF6 64,0 °С В рядах соед. ЭХn
при неизменном п ковалентность связи обычно увеличивается при переходе
от фторидов к хлоридам и уменьшается при переходе от последних к бромидам
и иодидам. Так, для A1F3 т. возг. 1280°С, А1С13 180°С,
т. кип. А1Вг3 254,8 °С, АlI3 407 °С. В ряду ZrF4,
ZrCl4, ZrBr4, ZrI4 т-ра возгонки равна
соотв. 906, 334, 355 и 418°С. В рядах MF,, и МС1„, где М-металл одной подгруппы,
ковалентность связи уменьшается с ростом атомной массы металла. Фторидов
и хлоридов металлов с примерно одинаковым вкладом ионной и ковалентной
составляющей связи немного.
Г. неметаллов
более ковалентны, чем Г. металлов. Так, т-ры возгонки SiF4 (
- 95 °C и GeF4 ( - 36 °C гораздо ниже, чем у TiF4
и ZrF4, также и т-ры кипения SiCl4 (57,0 °С) и GeCl4(83,12°C)
ниже, чем у Т1С14 и ZrCl4. Ковалентные SiF4
и GeF4, в отличие от TiF4 и ZrF4, почти
мгновенно гидролизуются водой.
Средняя
энергия связи элемент - галоген уменьшается при переходе от фторидов к
иодидам и с повышением п (см. табл.).
ЭНЕРГИЯ СВЯЗИ В НЕКОТОРЫХ ГАЗООБРАЗНЫХ ГАЛОГЕНИДАХ, кДж/моль
К смешанным
Г., содержащим наряду с атомами к.-л. элемента атомы двух или большего
числа галогенов, относятся, напр., хлоропентафторид серы SC1F5,
бромохлороди-фторид углерода CBrClF2, к межгалогенным соед.
ХХn (п = = 1, 3, 5 или 7)-ClF, BrF3, BrF5,
IF7 и др. Полигалогениды содержат анионы Хn-
(X == Вг, I; п = 3, 5, 9), напр. КВr3, К19.
Гидрогалогениды МНn Хn+1 , или МНn Хn+2
-
продукты присоединения галогеноводородов к Г. металлов; содержат ионы HnX-n+1.
Наиболее устойчивы гидрофториды металлов
.
Многие
металлы и неметаллы образуют Г., содержащие изолированные или мостиковые
атомы О (соотв. оксо-и оксигалогениды), напр. оксотрифторид ванадия VOF3,
диоксифторид ниобия NbO2F, диоксодииодид вольфрама WO2I2,
карбонилгалогениды СОХ2, нитрилгалогениды NO2X, нитрозилгалогениды
NOX, тионилгалогениды SOX2. Характер связей элементов с галогенами
в окси-и оксогалогенидах неметаллов более ковалентный, чем в соответствующих
соед. металлов.
Комплексные
Г. (галогенометаллаты) содержат комплексные анионы, в к-рых атомы галогенов
являются лигандами, напр. гексахлороплатинат(IV) калия K2[PtCl6],
гептафторотанталат(V) натрия Na[TaF7], гексафтороарсенат(V)
лития Li[AsF6]. наиб. термич. устойчивостью обладают фторо-,
оксофторо- и хлорометаллаты. По характеру связей к комплексным Г. близки
ионные соед. с катионами NF4+, N2F3+,
C1F2+, XeF+ и др.
Для
многих Г. характерны ассоциация и полимеризация в жидкой и газовой фазах
с образованием мостиковых связей. наиб. склонны к этому Г. металлов I и
II групп, А1С13, пентафториды Sb и переходных металлов, оксофториды
состава MOF4. Известны Г. со связью металл - металл, напр. Hg2Cl2.
Фториды
значительно отличаются по св-вам от др. Г. Однако в простых Г. эти отличия
выражены менее резко, чем в самих галогенах, а в комплексных Г.-слабее,
чем в простых.
Многие
ковалентные Г. (особенно фториды)-сильные к-ты Льюиса, напр. AsF5,
SbF5, BF3, A1C13. Фториды входят в состав
сверхкислот. Высшие Г. восстанавливаются металлами и Н2, напр.:
Г. металлов
V-VIII групп, кроме Сr и Мn, восстанавливаются Н2 до металлов,
напр.:
WF6 + 3Н2
-> W + 6HF
Многие
ковалентные и ионные галогениды металлов взаимодействуют между собой с
образованием комплексных Г., напр.:
КС1 + ТаС15 -> К[ТаС16]
Более
легкие галогены могут вытеснять более тяжелые из Г. Кислород может окислять
Г. с выделением С12, Вr2 и I2. Одна из
характерных р-ций ковалентных Г.-взаимод. с водой (гидролиз) или ее парами
при нагр. (пирогидролиз), приводящее к образованию оксидов, окси- или оксогалогенидов,
гидроксидов и галогеноводородов. Исключение составляют CF4,
CC14 и SF6, устойчивые к парам воды при высоких т-рах.
Г. получают
непосредственно из элементов, взаимод. галогеноводородов или галогеноводородных
к-т с элементами, оксидами, гидроксидами или солями, а также обменными
р-циями.
Г. широко
используют в технике как исходные в-ва для получения галогенов, щелочных
и щел.-зем. металлов, как компоненты стекол и др. неорг. материалов; они
являются промежут. продуктами в произ-ве редких и нек-рых цветных металлов,
U, Si, Ge и др.
В природе
Г. образуют отдельные классы минералов, в к-рых представлены фториды (напр.,
минералы флюорит, криолит) и хлориды (сильвин, карналлит). Бром и иод входят
в состав нек-рых минералов в виде изоморфных примесей. Значительные кол-ва
Г. содержатся в воде морей и океанов, в соляных и подземных рассолах. Некоторые
Г., напр. NaCl, К.С1, СаС12, входят в состав живых организмов.
О псевдогалогенидах
см., напр., Галогены
, об орг. Г.-Галогенангидриды карбоновых кислот, Галогензамещенные углеводородов
. Э.Г. Раков.