ХИМИЯ ТВЁРДОГО ТЕЛА
(химия твердого
состояния), раздел физ. химии, изучающий строение, св-ва и методы получения
твердых в-в. X. т. т. связана с физикой твердого тела, кристаллографией,
минералогией, физ.-хим. механикой, механохимией, радиационной химией, является
основой технологии неорг., полимерных и композиц. материалов.
Основные задачи X. т. т.: установление
взаимосвязи структуры твердых тел с их св-вами, обоснование путей создания
материалов с улучшенными эксплуатационными св-вами, разработка теории строения
и реакц. способности твердых тел.
В X. т. т. используется особый набор методов
исследования (дифракционные методы
, электронная микроскопия
и др.).
Накопление фактов в областях, ныне относимых
к X. т. т., шло в течение неск. столетий, однако как самостоятельная наука
она сформировалась в сер. 20 в. гл. обр. в связи с развитием электроники
и технологии неорг. материалов.
Особенности строения твердых в-в проявляются
прежде всего в наличии у них ближнего (аморфные в-ва и стекла) и дальнего
(кристаллы) порядка, а также в способности многих твердых в-в отклоняться
от законов стехиометрии
. Еще в нач. 19 в. эта способность вызвала
научную дискуссию между К. Бертолле, отстаивавшем возможность непрерывного
изменения состава твердого в-ва, и Ж. Прустом, к-рый придерживался победившей
тогда точки зрения о постоянстве состава. После введения в кон. 19 в. понятия
твердого р-ра (Я. Вант-Гофф, 1890) и разработки основ физ.-хим. анализа
(Г. Тамман, нач. 20 в.; Н. С. Курнаков, 1913) проблема противопоставления
в-в постоянного состава (дальтонидов) и в-в переменного состава (бертоллидов)
возникла вновь, причем бертоллиды рассматривались как твердые р-ры неустойчивых
в твердом состоянии в-в.
Основы X. т. т., как считается,
заложил А. Муассан, к-рый в 1892 ввел в лаб. практику электродуговые печи
и положил начало исследованиям св-в твердых тел при высоких т-рах.
Открытие дифракции рентгеновских лучей
(М. Лауэ, 1912) и развитие кристаллохимии (В. Гольдшмидт, Л. Полинг, А.
В. Шубников, Н. В. Белов, А. И. Китайгородский) позволили глубже понять
структуру твердых в-в и не только обосновать существование обширного класса
нестехиометрич. в-в, но и ввести понятие нестехиометрии
.
Еще одна важнейшая особенность строения
твердых в-в -отличие идеальной структуры кристаллов от реальной, дефектной
структуры (см. Дефекты
). Основой физ. химии кристаллов с дефектами
послужили работы Я. И. Френкеля (1926), В. Шоттки и К. Вагнера (1930).
Вагнер в работах 1930-40-х гг. установил зависимость реакционной способности
твердых тел от характера дефектов.
На св-ва и поведение твердых тел влияют
также состояние твердого тела (кристаллическое или аморфное), тип кристаллич.
модификации, наличие и характер фазовых переходов.
Р-ции твердых тел носят топохим. характер
(см. Топонимические реакции)и зачастую определяются скоростью диффузии
в твердых телах. Диффузия здесь отличается от диффузии в газах и жидкостях:
она может протекать на внешней пов-сти, по границам кристаллитов, в объеме
твердого тела и характеризуется высокими значениями кажущейся энергии активации.
Одна из важнейших концепций в кинетике
твердофазных р-ций (введена С. Хиншелвудом в 1925) состоит в протекании
процессов в результате последовательного образования и роста на пов-сти
или в объеме исходной фазы зародышей новой твердой фазы.
В Х. т. т. используется очень широкий
набор методов синтеза - с применением низких и сверхвысоких т-р, рекордно
высоких давлений и сверхглубокого вакуума, сильнейших центробежных полей,
разнообразных физ. методов активирования процессов, при полном отсутствии
гравитации. См., напр., Реакции в твердых телах
, Самораспространяющийся высокотемпературный синтез
.
Важными этапами в развитии X. т. т. явилось
создание совр. методов выращивания монокристаллов больших размеров (см. Монокристаллов выращивание
)из расплава, из перегретых водных р-ров
(см. Гидротермальные процессы
), разработка процесса выращивания
по механизму пар - жидкость -кристалл, методов зонной плавки кристаллов,
методов управления св-вами кристалла путем наложения при его выращивании
магнитных и электрич. полей. Значительное место в Х. т. т. занимает получение
и исследование св-в пленок и покрытий.
Новую область в X. т. т. открыло создание
методов получения аморфных твердых материалов путем химического осаждения из газовой фазы с плазменной активацией. Таким путем получены необычные
"сплавы" полупроводниковых элементов с водородом, фтором, азотом и др.
легкими элементами, тройные и более сложные композиции, многие из к-рых
обладают уникальными св-вами и имеют широкие перспективы практич. применения.
Основой микроэлектроники является планарная технология
,
разработанная
в США в 1959.
Среди новейших направлений развития Х.
т. т.- синтез и изучение высокотемпературных сверхпроводников, открытых
К. Мюллером и Дж. Беднорцем (1986), создание и исследование св-в "наноструктурированных"
материалов, к-рые состоят из частиц размером 1-15 нм или пленок толщиной
1-15 нм. Относительно большая доля пограничных (приповерхностных) слоев
определяет значительные (иногда на неск. порядков) отличия св-в наноструктурированных
материалов от св-в кристаллов и стекол того же состава. Разрабатываются
методы получения (нанотехнология) наноматериа-лов, а также гетероструктур
с размерами составляющих их элементов (слоев) от 1 до 10 нм.
Особенности физ. и физ.-хим. св-в твердых
в-в см. в ст. Аморфное состояние
, Кристаллы
, Стеклообразное состояние
,
Твердое тело
, в статьях об отдельных видах материалов: Диэлектрики
,
Магнитные материалы
, Полупроводники
, Сверхпроводники
и др.; особенности
р-ций твердых в-в - в ст. Коррозия металлов
, Металлов окисление
, Травление
и
др.
Лит.: Препаративные методы в химии
твердого тела, под ред. П. Хагенмюллера, пер. с англ., М., 1976; Болдырев
В. В., Ляхов Н. Э., Чупахин А. П., Химия твердого тела, М., 1982; Чеботин
В..Н., Физическая химия твердого тела, М., 1982; Браун М., ДоллиморД.,
ГалвейА., Реакции твердых тел, пер. с англ., М., 1983; ГилевичМ.П., Покровский
И.И., Химия твердого тела, Минск, 1985; Тр етьяков Ю. Д., Лепи с X., Химия
и технология твердофазных материалов, М., 1985; Вест А., Химия твердого
тела. Теория и приложения, пер. с англ., ч. 1-2, М., 1988; Ра о Ч. Р.,
Новые направления в химии твердого тела, пер. с англ., Новосиб., 1990.
Э. Г. Раков.
|