генерация высокочастотных колебаний электрического тока вполупроводнике с N-образной вольт-амперной характеристикой. Ганна эффектсвязан с периодическим появлением в кристалле и перемещением по немуобласти сильного электрического поля, которая называется доменом Ганна.Частота колебаний обратно пропорциональна длине образца. В кристалле GaAsдлиной 50-30 мкм частота колебаний ~0,3-2 ГГц. Используется в генераторахи усилителях сверхвысокой частоты. Открыт Дж. Ганном в 1963.
|
