возникновение электрического поля Е восвещенном полупроводнике, помещенном в магнитном поле Н. Направление поляЕ перпендикулярно как Н, так и потоку носителей заряда, диффундирующих отосвещенной поверхности полупроводника (где они возникают под действиемсвета) к неосвещенной. Открыт И. К. Кикоиным и М. М. Носковым в 1933.
|
