лазер, активная среда которого -полупроводниковый кристалл. Полупроводниковый лазер имеет малые размеры(50 мкм - 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спектральнойперестройки. Полупроводниковый лазер генерирует излучение в диапазоне длинволн 0,3-30 мкм. Наиболее распространенный способ накачки - инжекцияносителей через гетеропереход (гетеролазер). Применяют в оптической связии локации, оптоэлектронике и др.
